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BAS16TT1
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电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
向前 电压
(i
F
= 1.0 毫安)
(i
F
= 10 毫安)
(i
F
= 50 毫安)
(i
F
= 150 毫安)
V
F
—
—
—
—
715
866
1000
1250
mV
反转 电流
(v
R
= 75 v)
(v
R
= 75 v, t
J
= 150
°
c)
(v
R
= 25 v, t
J
= 150
°
c)
I
R
—
—
—
1.0
50
30
µ
一个
电容
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
C
D
— 2.0 pF
反转 恢复 时间
(i
F
= i
R
= 10 毫安, r
L
= 50
Ω
) (图示 1)
t
rr
— 6.0 ns
贮存 承担
(i
F
= 10 毫安 至 v
R
= 6.0 v, r
L
= 500
Ω
) (图示 2)
QS — 45 PC
向前 恢复 电压
(i
F
= 10 毫安, t
r
= 20 ns) (图示 3)
V
FR
— 1.75 V

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BAS16TT1 http://onsemi.com 2 电的特性 (t 一个 = 25 ° c 除非否则指出) 典型的标识最小值最大值单位向前电压 (i F = 1.0 毫安) (i F = 10 毫安) (i F = 50 毫安) (i F = 150 毫安) V F — — — — 715 866 1000 1250 mV 反转电流 (v R = 75 v) (v R = 75 v, t J = 150 ° c) (v R = 25 v, t J = 150 ° c) I R — — — 1.0 50 30 µ 一个电容 (v R = 0, f = 1.0 mhz) C D — 2.0 pF 反转恢复时间 (i F = i R = 10 毫安, r L = 50 Ω ) (图示 1) t rr — 6.0 ns 贮存承担 (i F = 10 毫安至 v R = 6.0 v, r L = 500 Ω ) (图示 2) QS — 45 PC 向前恢复电压 (i F = 10 毫安, t r = 20 ns) (图示 3) V FR — 1.75 V

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