©2002 仙童 半导体 公司 rev. b1, 8月 2002
bc327/328
pnp 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
=25
°
C
除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压
: bc327
: bc328
-50
-30
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bc327
: bc328
-45
-25
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 -5 V
I
C
集电级 电流 (直流) -800 毫安
P
C
集电级 电源 消耗 625 mW
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 -55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压
: bc327
: bc328
I
C
= -10ma, i
B
=0
-45
-25
V
V
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压
: bc327
: bc328
I
C
= -0.1ma, v
是
=0
-50
-30
V
V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= -10
µ
一个, i
C
=0 -5 V
I
CES
集电级 截-止 电流
: bc327
: bc328
V
CE
= -45v, v
是
=0
V
CE
= -25v, v
是
=0
-2
-2
-100
-100
nA
nA
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益
V
CE
= -1v, i
C
= -100ma
V
CE
= -1v, i
C
= -300ma
100
40
630
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -500ma, i
B
= -50ma -0.7 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= -1v, i
C
= -300ma -1.2 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= -5v, i
C
= -10ma, f=20mhz 100 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= -10v, i
E
=0, f=1mhz 12 pF
分类 16 25 40
h
FE1
100 ~ 250 160 ~ 400 250 ~ 630
h
FE2
60- 100- 170-
bc327/328
切换 和 放大器 产品
• 合适的 为 af-驱动器 stages 和 低 电源 输出 stages
• complement 至 bc337/bc338
1. 集电级 2. 根基 3. 发射级
至-92
1
: 点此下载
