©2002 仙童 半导体 公司 rev. b1, 8月 2002
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典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 静态的 典型的
图示 3. 直流 电流 增益 图示 4. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 根基-发射级 在 电压 图示 6. 增益 带宽 产品
-1 -2 -3 -4 -5
-0
-100
-200
-300
-400
-500
P
T
= 600mw
I
B
= - 3.0ma
I
B
= - 2.0ma
I
B
= - 3.5ma
I
B
= - 1.0ma
I
B
= - 1.5ma
I
B
= - 0.5ma
I
B
= - 4.0ma
I
B
= - 2.5ma
I
B
= - 4.5ma
I
B
= - 5.0ma
I
B
= 0
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
-10 -20 -30 -40 -50
-4
-8
-12
-16
-20
P
T
= 600mw
I
B
= - 80
µ
一个
I
B
= - 70
µ
一个
I
B
= - 60
µ
一个
I
B
= - 50
µ
一个
I
B
= - 40
µ
一个
I
B
= - 30
µ
一个
I
B
= - 20
µ
一个
I
B
= - 10
µ
一个
I
B
= 0
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
-0.1 -1 -10 -100 -1000
1
10
100
1000
脉冲波
- 1.0v
V
CE
= - 2.0v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100 -1000
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 i
B
脉冲波
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
-0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9
-0.1
-1
-10
-100
-1000
V
CE
= -1v
脉冲波
I
C
[ma], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-1 -10 -100
10
100
1000
V
CE
= -5.0v
f
T
[mhz], 增益-带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流