©2002 仙童 半导体 公司 rev. a2, 8月 2002
bc307/308/309
电的 特性
T
一个
=25
°
c 除非 否则 指出
h
FE
分类
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压
: bc307
: bc308/309
I
C
= -2ma, i
B
=0
-45
-25
V
V
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压
: bc307
: bc308/309
I
C
= -10
µ
一个, v
是
=0
-50
-30
V
V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= -10
µ
一个, i
C
=0 -5 V
I
CES
集电级 截-止 电流
: bc307
: bc308/309
V
CE
= -45v, v
是
=0
V
CE
= -25v, v
是
= 0
-2
-2
-15
-15
nA
nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
= -5v, i
C
= -2ma 120 8 0 0
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -0.5ma
I
C
= -100ma, i
B
= -5ma
-0.5
-0.3 V
V
V
是
(sat) 集电级-根基 饱和 电压 I
C
= -10ma, i
B
= -0.5ma
I
C
= -100ma, i
B
= -5ma
-0.7
-0.85
V
V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
= -5v, i
C
= -2ma -0.55 -0.62 -0.7 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= -5v, i
C
= -10ma, f=50mhz 130 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= -10v, i
E
=0, f=1mhz 6 pF
C
ib
输入 电容 V
EB
= -0.5v, i
C
=0, f=1mhz 12 pF
NF 噪音 图示
: bc307/308
: bc309
: bc309
V
CE
= -5v, i
C
= -0.2ma,
R
G
=2K
Ω
, f=1khz
V
CE
= -5v, i
C
= -0.2ma
R
G
=2K
Ω
, f=30~15khz
2
10
4
4
dB
dB
dB
分类 一个 B C
h
FE
120 ~ 220 180 ~ 460 380 ~ 800
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