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©2002 仙童 半导体 公司
bc307/308/309
rev. a2, 8月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 根基-发射级 电容
图示 5. 集电级 输出 电容 图示 6. 电流 增益 带宽 产品
-2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
I
B
= -50
µ
一个
I
B
= -100
µ
一个
I
B
= -150
µ
一个
I
B
= -200
µ
一个
I
B
= -250
µ
一个
I
B
= -300
µ
一个
I
B
= -350
µ
一个
I
B
= -400
µ
一个
I
C
[ma], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
-0.1 -1 -10 -100
1
10
100
1000
V
CE
= -5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= -10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
-0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2
-0.1
-1
-10
-100
V
CE
= -5v
I
C
[ma], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
-1 -10 -100
1
10
f=1MHz
I
E
= 0
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
-1 -10
10
100
1000
V
CE
= -5v
f
T
[mhz], 电流 增益-带宽 产品
I
C
[ma], 集电级 电流

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©2002 仙童半导体公司 bc307/308/309 rev. a2, 8月 2002 典型特性图示 1. 静态的典型的图示 2. 直流电流增益图示 3. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 4. 根基-发射级电容图示 5. 集电级输出电容图示 6. 电流增益带宽产品 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 -18 -20 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50 I B = -50 µ 一个 I B = -100 µ 一个 I B = -150 µ 一个 I B = -200 µ 一个 I B = -250 µ 一个 I B = -300 µ 一个 I B = -350 µ 一个 I B = -400 µ 一个 I C [ma], 集电级电流 V CE [v], 集电级-发射级电压 -0.1 -1 -10 -100 1 10 100 1000 V CE = -5v h FE , 直流电流增益 I C [ma], 集电级电流 -0.1 -1 -10 -100 -0.01 -0.1 -1 -10 I C = -10 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [ma], 集电级电流 -0.0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -0.1 -1 -10 -100 V CE = -5v I C [ma], 集电级电流 V 是 [v], 根基-发射级电压 -1 -10 -100 1 10 f=1MHz I E = 0 C ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 -1 -10 10 100 1000 V CE = -5v f T [mhz], 电流增益-带宽产品 I C [ma], 集电级电流

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