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资料编号:162908
 
资料名称:BC846BDW1T1
 
文件大小: 106.43K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistors
 
 


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bc846bdw1t1, bc847bdw1t1, bc848cdw1t1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级发射级 损坏 电压
(i
C
= 10 毫安) BC846
BC847
BC848
V
(br)ceo
65
45
30
V
集电级发射级 损坏 电压
(i
C
= 10
一个, v
EB
= 0) BC846
BC847
BC848
V
(br)ces
80
50
30
V
集电级根基 损坏 电压
(i
C
= 10
一个) BC846
BC847
BC848
V
(br)cbo
80
50
30
V
发射级根基 损坏 电压
(i
E
= 1.0
一个) BC846
BC847
BC848
V
(br)ebo
6.0
6.0
5.0
V
集电级 截止 电流 (v
CB
= 30 v)
(v
CB
= 30 v, t
一个
= 150
°
c)
I
CBO
15
5.0
nA
一个
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= 10
一个, v
CE
= 5.0 v) bc846b, bc847b
BC848C
(i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v) bc846b, bc847b
BC848C
h
FE
200
420
150
270
290
520
450
800
集电级发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
集电级发射级 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
ce(sat)
0.25
0.6
V
根基 发射级 饱和 电压 (i
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安)
根基 发射级 饱和 电压(i
C
= 100 毫安, i
B
= 5.0 毫安)
V
是(sat)
0.7
0.9
V
根基 发射级 电压 (i
C
= 2.0 毫安, v
CE
= 5.0 v)
根基 发射级 电压(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 v)
V
是(在)
580
660
700
770
mV
SMALL−信号 特性
电流增益 − 带宽 产品
(i
C
= 10 毫安, v
CE
= 5.0 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100 MHz
输出 电容 (v
CB
= 10 v, f = 1.0 mhz) C
obo
4.5 pF
噪音 图示
(i
C
= 0.2 毫安, v
CE
= 5.0 vdc, r
S
= 2.0 k
,f = 1.0 khz, bw = 200 hz)
NF
10
dB
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