首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:162908
 
资料名称:BC846BDW1T1
 
文件大小: 106.43K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号BC846BDW1T1的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号BC846BDW1T1的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BC846BDW1T1的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号BC846BDW1T1的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BC846BDW1T1的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc846bdw1t1, bc847bdw1t1, bc848cdw1t1
http://onsemi.com
4
典型 特性 − bc846
图示 7. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 8. “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.8
1.0
0.6
0.2
0.4
1.0
2.0
0.1 1.0
10 100
0.2
0.2
0.5
0.2 1.0
10 200
T
一个
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
@ v
CE
= 5.0 v
图示 9. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 10. base−emitter 温度 系数
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
−1.0
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0
10
0
20
0.1
0.4
0.8
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
VB
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
0.2 2.0
10 200
1.0
T
一个
= 25
°
C
200 毫安
50 毫安
I
C
=
10 毫安
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
v, 电压 (伏特)
V
CE
= 5 v
T
一个
= 25
°
C
0
0.5 2.0 5.0
20 50 100
0.05 0.2 0.5 2.0 5.0
100 毫安
20 毫安
−1.4
−1.8
−2.2
−2.6
−3.0
0.5 5.0 20
50 100
−55
°
c 至 125
°
C
VB
为 v
图示 11. 电容
V
R
, 反转 电压 (伏特)
40
图示 12. current−gain − 带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
0.1 0.2 1.0 50
2.0
2.0 10
100
100
200
500
50
20
20
10
6.0
4.0
1.0 10 50
100
5.0
V
CE
= 5 v
T
一个
= 25
°
C
c, 电容 (pf)
f, current−gain − 带宽 产品
T
0.5 5.0 20
T
一个
= 25
°
C
C
ob
C
ib
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com