BC80725_集成电路资料查询网

bc807, bc808
2 十一月-29-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
BC807
BC808
V
(br)ceo
45
25
-
-
-
-
V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
E
= 0
BC807
BC808
V
(br)cbo
50
30
-
-
-
-
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
- - 50 µA
发射级 截止 电流
V
EB
= 4 v,
I
C
= 0
I
EBO
- - 100 nA
直流 电流 增益  1)
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
-grp.
16
h
FE
-grp.
25
h
FE
-grp.
40
h
FE
100
160
250
160
250
350
250
400
630
-
直流 电流 增益  1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 1 v
h
FE
40 - -
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
- - 0.7 V
根基-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
BEsat
- - 1.2
1) 脉冲波 测试: t
≤
300
µ
s, d = 2%

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bc807, bc808 2 十一月-29-2001 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 BC807 BC808 V (br)ceo 45 25 - - - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I E = 0 BC807 BC808 V (br)cbo 50 30 - - - - 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 V (br)ebo 5 - - 集电级截止电流 V CB = 25 v, I E = 0 I CBO - - 100 nA 集电级截止电流 V CB = 25 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c I CBO - - 50 µA 发射级截止电流 V EB = 4 v, I C = 0 I EBO - - 100 nA 直流电流增益 1) I C = 100 毫安, V CE = 1 v h FE -grp. 16 h FE -grp. 25 h FE -grp. 40 h FE 100 160 250 160 250 350 250 400 630 - 直流电流增益 1) I C = 500 毫安, V CE = 1 v h FE 40 - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 500 毫安, I B = 50 毫安 V CEsat - - 0.7 V 根基-发射级饱和电压 1) I C = 500 毫安, I B = 50 毫安 V BEsat - - 1.2 1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, d = 2%

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