BC80725_集成电路资料查询网

bc807, bc808
5 十一月-29-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
0
10
EHP00215
CEsat
V
0.4 V 0.8
-1
10
0
10
1
3
10
5
5
Ι
C
毫安
5
2
10
0.2 0.6
-50
25
150
˚
C
˚
C
˚
C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
0
10
EHP00214
BEsat
V
2.0 V 4.0
-1
10
0
10
1
3
10
5
5
Ι
C
毫安
5
2
10
1.0 3.0
˚
C
-50
25
˚
C
˚
C
150
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1v
10
EHP00216
-1 3
10mA
0
10
3
10
5
5
10
0
10
1
10
1
C
FE
h
Ι
2
10
2
10
˚
C
100
5
25
˚
C
-50
˚
C

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bc807, bc808 5 十一月-29-2001 集电级-发射级饱和电压 I C = f ( V CEsat ), h FE = 10 0 10 EHP00215 CEsat V 0.4 V 0.8 -1 10 0 10 1 3 10 5 5 Ι C 毫安 5 2 10 0.2 0.6 -50 25 150 ˚ C ˚ C ˚ C 根基-发射级饱和电压 I C = f ( V BEsat ), h FE = 10 0 10 EHP00214 BEsat V 2.0 V 4.0 -1 10 0 10 1 3 10 5 5 Ι C 毫安 5 2 10 1.0 3.0 ˚ C -50 25 ˚ C ˚ C 150 直流电流增益 h FE = f ( I C ) V CE = 1v 10 EHP00216 -1 3 10mA 0 10 3 10 5 5 10 0 10 1 10 1 C FE h Ι 2 10 2 10 ˚ C 100 5 25 ˚ C -50 ˚ C

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