5
fn9076.5
july 22, 2005
绝对 maximum 比率
供应 电压 (vcc). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15v
供应 电压 (pvcc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . vcc + 0.3v
激励 电压 (v
激励
- v
阶段
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15v
输入 电压 (v
PWM
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 地 - 0.3v 至 7v
ugate. . . . . . .V
阶段
- 5v(<400ns 脉冲波 宽度) 至 v
激励
+ 0.3v
V
阶段
-0.3v(>400ns 脉冲波 宽度) 至 v
激励
+ 0.3v
LGATE . . . . . . . . . 地 - 5v(<400ns 脉冲波 宽度) 至 v
PVCC
+ 0.3v
地 -0.3v(>400ns 脉冲波 宽度) 至 v
PVCC
+ 0.3v
阶段. . . . . . . . . . . . . . . . . .地 -5v(<400ns 脉冲波 宽度) 至 15v
地 -0.3v(>400ns 脉冲波 宽度) 至 15v
静电释放 比率
人 身体 模型 (每 mil-标准-883 方法 3015.7) . . . . .3kV
机器 模型 (每 eiaj ed-4701 方法 c-111) . . . . . . .200v
运行 情况
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°c 至 85°c
最大 运行 接合面 temperature . . . . . . . . . . . . . . 125°C
供应 电压, vcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12V
±
10%
供应 电压 范围 pvcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5v 至 12v
热的 信息
热的 阻抗
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
soic 包装 (便条 2) . . . . . . . . . . . . 68 n/一个
qfn 包装 (便条 3). . . . . . . . . . . . . 36 6
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
为 推荐 焊接 情况 看 tech brief tb389.
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 damage 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 thermal conductivity 测试 板 在 自由 空气. 看 tech brief tb379 f或者 详细信息.
3.
θ
JA
是 量过的 在 自由 空气 和 这 组件 挂载 在 一个 高 effective 热的 conductivity 测试 板 和 “direct attach” features.
θ
jc,
这
“case temp” 是 量过的 在 这 中心 的 这 exposed metal 垫子 在 这 包装 underside. 看 tech brief tb379.
电的 规格
推荐 运行 情况, 除非 否则 指定.
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 供应 电流
偏差 供应 电流 I
VCC
f
PWM
= 500khz, v
PVCC
= 12v - 3.7 5.0 毫安
电源 供应 电流 I
PVCC
f
PWM
= 500khz, v
PVCC
= 12v - 2.0 4.0 毫安
电源-在 重置
vcc rising 门槛 9.7 9.95 10.4 V
vcc 下落 门槛 7.3 7.6 8.0 V
pwm 输入
输入 电流 I
PWM
V
PWM
= 0 或者 5v (看 块 图解) - 500 - µA
pwm rising 门槛 V
PVCC
= 12v - 3.6 - V
pwm 下落 门槛 V
PVCC
= 12v - 1.45 - V
ugate 上升 时间 TR
UGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 20 - ns
lgate 上升 时间 TR
LGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 50 - ns
ugate 下降 时间 TF
UGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 20 - ns
lgate 下降 时间 TF
LGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 20 - ns
ugate 转变-止 传播 延迟 TPDL
UGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 30 - ns
lgate 转变-止 传播 延迟 TPDL
LGATE
V
PVCC
= v
VCC
= 12v, 3nf 加载 - 20 - ns
关闭 window 1.4 - 3.6 V
关闭 holdoff 时间 - 230 - ns
输出
upper 驱动 源 阻抗 R
UGATE
V
VCC
= 12v, v
PVCC
= 5v - 1.7 3.0
Ω
V
VCC
= v
PVCC
= 12v - 3.0 5.0
Ω
upper 驱动 下沉 阻抗 R
UGATE
V
VCC
= 12v, v
PVCC
= 5v - 2.3 4.0
Ω
V
VCC
= v
PVCC
= 12v - 1.1 2.0
Ω
更小的 驱动 源 电流 I
LGATE
V
VCC
= 12v, v
PVCC
= 5v 400 580 - 毫安
V
VCC
= v
PVCC
= 12v 500 730 - 毫安
更小的 驱动 下沉 阻抗 R
LGATE
V
VCC
= 12v, v
PVCC
= 5v 或者 12v - 1.6 4.0
Ω
HIP6602B
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