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fn9076.5
july 22, 2005
确保 safe 运作 在 这 desired 频率 为 这
选择 mosfets. 这 总的 碎片 电源 消耗 是
近似 作:
在哪里 f
sw
是 这 切换 频率 的 这 pwm 信号. q
U
和 q
L
是 这 upper 和 更小的 门 承担 决定 用
场效应晶体管 选择 和 任何 外部 电容 增加 至
这 门 管脚. 这 i
DDQ
vcc 产品 是 这 安静的 电源
的 这 驱动器 和 是 典型地 40mw.
这 1.05 期 是 一个 纠正 因素 获得 从 这
下列的 描绘. 这 根基 电路 为 characterizing
这 驱动器 为 不同的 加载 profiles 和 发生率 是
提供. c
U
和 c
L
是 这 upper 和 更小的 门 加载
电容. 解耦 电容 [0.15µf] 是 增加 至 这
pvcc 和 vcc 管脚. 这 自举 电容 值 在 这
测试 电路 是 0.01µf.
这 电源 消耗 approximation 是 一个 结果 的 电源
transferred 至 和 从 这 upper 和 更小的 门. 但是, 这
内部的 自举 设备 也 dissipates 电源 在-碎片
在 这 refresh 循环. expressing 这个 电源 在 条款 的
这 upper 场效应晶体管 总的 门 承担 是 explained 在下.
这 自举 设备 conducts 当 这 更小的 场效应晶体管 或者
它的 身体 二极管 conducts 和 pulls 这 阶段 node 对着
地. 当 这 自举 设备 conducts, 一个 电流 path 是
formed 那 refreshes 这 bootstrap 电容. 自从 这
upper 门 是 驱动 一个 场效应晶体管, 这 承担 移除 从
这 自举 电容 是 相等的 至 这 总的 门 承担
的 这 场效应晶体管. 因此, the refresh 电源 必需的 用
这 自举 电容 是 相等的 至 这 电源 使用 至
承担 这 门 电容 的 这 upper mosfets.
在哪里 q
丧失
是 这 总的 承担 移除 从 这 自举
电容 和 提供 至 这 upper 门 负载.
在 图示 2, c
U
和 c
L
值 是 这 一样 和 频率
是 varied 从 10khz 至 1.5mhz. pvcc 和 vcc 是 系
一起 至 一个 +12v 供应.
图示 3 显示 这 消耗 在 这 驱动器 和 1nf 加载
在 两个都 门 和 各自 individually. 图示 4 是 这 一样 作
图示 3 除了 这 电容 是 增加 至 3nf.
这 impact 的 加载 在 电源 消耗 是 显示 在
图示 5. 频率 是 使保持常量 当 这 门
电容 是 varied 从 1nf 至 5nf. vcc 和 pvcc 是
系 一起 和 至 一个 +12v 供应. 计算数量 6, 7 和 8 显示
这 一样 描绘 为 pvcc 系 至 +5v instead 的
+12v. 这 门 供应 电压, pvcc, 在里面 这 hip6602b
sets 两个都 upper 和 更小的 门 驱动器 供应 在 这 一样
5v 水平的 为 这 last 三 曲线.
测试 电路
p = 1.05 x f
SW
x v
PVCC
[
(q
U1
+ q
U2
) + (q
L1
+ q
L2
)
]
+ i
DDQ
x vcc
3
2
_
P
REFRESH
f
SW
Q
丧失
V
PVCC
f
SW
Q
U
V
PVCC
==
BOOT1
UGATE1
PHASE1
LGATE1
PWM1
PVCC
VCC
0.15µf
0.15µf
100k
Ω
2N7002
2N7002
0.01µf
C
L
C
U
+5v 或者 +12v
+12V
HIP6602B
UGATE2
PHASE2
LGATE2
100k
Ω
2N7002
2N7002
C
L
C
U
0.01µf
PGND
PWM2
地
BOOT2
+5v 或者 +12v
图示 1. hip6602b 测试 电路
HIP6602B
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