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资料编号:163585
 
资料名称:BCP68T1
 
文件大小: 110.27K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


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BCP68T1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级-发射级 损坏 电压
(i
C
= 100
µ
模数转换器, i
E
= 0)
V
(br)ces
25 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
20 Vdc
发射级-根基 损坏 电压
(i
E
= 10
µ
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级-根基 截止 电流
(v
CB
= 25 vdc, i
E
= 0)
I
CBO
10
µ
模数转换器
发射级-根基 截止 电流
(v
EB
= 5.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
10
µ
模数转换器
在 特性 (2)
直流 电流 增益
(i
C
= 5.0 madc, v
CE
= 10 vdc)
(i
C
= 500 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 1.0 模数转换器, v
CE
= 1.0 vdc)
h
FE
50
85
60
375
集电级-发射级 饱和 电压
(i
C
= 1.0 模数转换器, i
B
= 100 madc)
V
ce(sat)
0.5 Vdc
根基-发射级 在 电压
(i
C
= 1.0 模数转换器, v
CE
= 1.0 vdc)
V
是(在)
1.0 Vdc
动态 特性
电流-增益 — 带宽 产品
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 5.0 vdc)
f
T
60 MHz
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2.0%
典型 电的 特性
h
FE
, 直流 电流 增益
300
200
100
10
1000100101.0
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 1. 直流 电流 增益
T
J
= 125
°
C
= 25
°
C
= – 55
°
C
V
CE
= 1.0 v
f , 电流-增益-带宽 产品 (mhz)
T
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 2. 电流-增益-带宽 产品
300
200
100
70
50
30
100010010 200
V
CE
= 10 v
T
J
= 25
°
C
f = 30 mhz
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