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BCP68T1
3
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
典型 电的 特性
1.0
100010010
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
图示 3. “on” 电压
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
T
J
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(在)
@ v
CE
= 1.0 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
C
ib
, 电容 (pf)
80
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 4. 电容
0
70
60
50
40
30
1.0 2.0 3.0 4.0
T
J
= 25
°
C
C
ob
, 电容 (pf)
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 5. 电容
0 5.0 10 15 20
T
J
= 25
°
C
25
20
15
10
5.0
1000
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 6. 根基-发射级 温度 系数
– 0.8
–1.2
–1.6
– 2.0
– 2.4
– 2.8
100101.0
V
CE
, 集电级 电压 (v)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
I
B
, 根基 电流 (毫安)
101.00.10.01
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10 毫安 = 100 毫安
= 500 毫安
5.0
R
VB
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
R
θ
VB
为 v
是
= 50 毫安
图示 7. 饱和 区域
= 1000 毫安

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BCP68T1 3 motorola small–signal 晶体管, fets 和二极管设备数据典型电的特性 1.0 100010010 I C , 集电级电流 (毫安) v, 电压 (伏特) 图示 3. “on” 电压 0.8 0.6 0.4 0.2 0 1.0 T J = 25 ° C V 是(sat) @ i C /i B = 10 V 是(在) @ v CE = 1.0 v V ce(sat) @ i C /i B = 10 C ib , 电容 (pf) 80 V R , 反转电压 (伏特) 图示 4. 电容 0 70 60 50 40 30 1.0 2.0 3.0 4.0 T J = 25 ° C C ob , 电容 (pf) V R , 反转电压 (伏特) 图示 5. 电容 0 5.0 10 15 20 T J = 25 ° C 25 20 15 10 5.0 1000 I C , 集电级电流 (毫安) 图示 6. 根基-发射级温度系数 – 0.8 –1.2 –1.6 – 2.0 – 2.4 – 2.8 100101.0 V CE , 集电级电压 (v) 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 100 I B , 根基电流 (毫安) 101.00.10.01 T J = 25 ° C I C = 10 毫安 = 100 毫安 = 500 毫安 5.0 R VB , 温度系数 (mv/ c) ° θ R θ VB 为 v 是 = 50 毫安图示 7. 饱和区域 = 1000 毫安

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