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BCV61
2 jul-10-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性 的 t1
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
-30 v-
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
B
= 0
V
(br)cbo
- -30
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
6 --
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - nA15
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
-- µA5
直流 电流 增益  1)
I
C
= 0.1 毫安,
V
CE
= 5 v
h
FE
- -100 -
直流 电流 增益  1)
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
h
FE
110
200
420
180
290
520
220
450
800
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
-
-
90
200
250
600
mV
-
-
根基-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
-
-
700
900
V
BEsat
580
-
根基-发射级 电压  1)
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v
660
-
700
770
V
是(在)
BCV61A
BCV61B
BCV61C
1) 脉冲波 测试: t
≤
300
µ
s, d = 2%

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BCV61 2 jul-10-2001 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性的 t1 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 V (br)ceo -30 v- 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I B = 0 V (br)cbo - -30 发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 V (br)ebo 6 -- 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 I CBO - - nA15 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c I CBO -- µA5 直流电流增益 1) I C = 0.1 毫安, V CE = 5 v h FE - -100 - 直流电流增益 1) I C = 2 毫安, V CE = 5 v h FE 110 200 420 180 290 520 220 450 800 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat - - 90 200 250 600 mV - - 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 - - 700 900 V BEsat 580 - 根基-发射级电压 1) I C = 2 毫安, V CE = 5 v I C = 10 毫安, V CE = 5 v 660 - 700 770 V 是(在) BCV61A BCV61B BCV61C 1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, d = 2%

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