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资料编号:164415
 
资料名称:BCV61B
 
文件大小: 95.1K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and VBE matching)
 
 


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BCV61
4 jul-10-2001
测试 电路 为 电流 相一致
EHN00001
T1 T2
...
一个
21
43
V
CE1
CO
V
CO
V
C1
Ι
Ι
E2
= 常量
便条: 电压 漏出 在 联系:
V
CO
< 2/3
V
T
= 16mv
典型的 为 determination 的
V
CE1
在 指定
R
E
范围 和
I
E2
作 参数 下面 情况 的
I
C1
/
I
E2
= 1.3
EHN00002
T1 T2
...
一个
21
43
V
CE1
C1
Ι
Ι
E2
= 常量
R
E
R
E
便条: bcv61 和 发射级 电阻器
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