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资料编号:164449
 
资料名称:BCV62C
 
文件大小: 94.99K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and VBE matching)
 
 


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BCV62
3 jul-11-2001
电的 特性
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
根基-发射级 向前 电压
I
E
= 10 µa
I
E
= 250 毫安
V
BES
0.4
-
-
-
-
1.8
V
相一致 的 晶体管 t1 和 晶体管 t2
I
E2
= 0.5ma 和
V
CE1
= 5v
T
一个
= 25 °c
T
一个
= 150 °c
I
C1
/
I
C2
-
0.7
0.7
-
-
-
-
1.3
1.3
-
热的 连接 的 晶体管 t1 和
晶体管 t2
1)
t1:
V
CE
= 5v
最大 电流 的 热的 稳固 的
I
C1
I
E2
- 5 - 毫安
交流 特性 的 晶体管 t1
转变 频率
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 100 mhz
f
T
- 250 - MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 3 - pF
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
- 8 -
噪音 图示
I
C
= 200 µa,
V
CE
= 5 v,
R
S
= 2
k
,
f
= 1 khz,
f
= 200
Hz
F
- 2 - dB
短的-电路 输入 阻抗
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
11e
- 4.5 -
k
打开-电路 反转 电压 transf.比率
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
12e
- 2 -
10
-4
短的-电路 向前 电流 transf.比率
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
21e
100 - 900 -
打开-电路 输出 admittance
I
C
= 1 毫安,
V
CE
= 10 v,
f
= 1 khz
h
22e
- 30 -
S
1) witout 发射级 电阻. 设备 挂载 在 alumina 15mm x 16.5mm x 0.7mm
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