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BCV62
1 jul-11-2001
pnp 硅 翻倍 晶体管

至 是 使用 作 一个 电流 mirror

好的 热的 连接 和
V
是
相一致

高 电流 增益

低 集电级-发射级 饱和 电压
VPS05178
2
1
3
4
EHA00013
c2 (1)
tr.2tr.1
c1 (2)
e1 (3) e2 (4)
类型 标记 管脚 配置 包装
BCV62A
BCV62B
BCV62C
3Js
3Ks
3Ls
1 = c2
1 = c2
1 = c2
2 = c1
2 = c1
2 = c1
3 = e1
3 = e1
3 = e1
4 = e2
4 = e2
4 = e2
SOT143
SOT143
SOT143
最大 比率
参数
标识 值 单位
集电级-发射级 电压
(晶体管 t1)
V
CEO
30 V
集电级-根基 电压 (打开 发射级)
(晶体管 t1)
V
CBO
30
发射级-根基 电压
V
EBS
6
直流 集电级 电流
I
C
100 毫安
顶峰 集电级 电流
I
CM
200
根基 顶峰 电流 (晶体管 t1)
I
BM
200
总的 电源 消耗
,
T
S
= 99 °c
P
tot
300 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
1)
R
thJS

170 k/w
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗

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BCV62 1 jul-11-2001 pnp 硅翻倍晶体管  至是使用作一个电流 mirror  好的热的连接和 V 是相一致  高电流增益  低集电级-发射级饱和电压 VPS05178 2 1 3 4 EHA00013 c2 (1) tr.2tr.1 c1 (2) e1 (3) e2 (4) 类型标记管脚配置包装 BCV62A BCV62B BCV62C 3Js 3Ks 3Ls 1 = c2 1 = c2 1 = c2 2 = c1 2 = c1 2 = c1 3 = e1 3 = e1 3 = e1 4 = e2 4 = e2 4 = e2 SOT143 SOT143 SOT143 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 (晶体管 t1) V CEO 30 V 集电级-根基电压 (打开发射级) (晶体管 t1) V CBO 30 发射级-根基电压 V EBS 6 直流集电级电流 I C 100 毫安顶峰集电级电流 I CM 200 根基顶峰电流 (晶体管 t1) I BM 200 总的电源消耗 , T S = 99 °c P tot 300 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg -65 ... 150 热的阻抗接合面 - 焊接要点 1) R thJS  170 k/w 1 为计算的 R thJA 请谈及至应用便条热的阻抗

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