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资料编号:164490
 
资料名称:BCW65CLT1
 
文件大小: 33.82K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw65alt1, bcw65clt1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
集电级发射级 损坏 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 0)
V
(br)ceo
32 Vdc
集电级发射级 损坏 电压
(i
C
= 10
模数转换器, v
EB
= 0)
V
(br)ces
60 Vdc
发射级根基 损坏 电压
(i
E
= 10
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 32 vdc, i
E
= 0)
(v
CE
= 32 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 150
°
c)
I
CES
20
20
nAdc
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 4.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
20 nAdc
在 特性
直流 电流 增益 BCW65ALT1
(i
C
= 100
模数转换器, v
CE
= 10 vdc)
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 100 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 500 madc, v
CE
= 2.0 vdc)
h
FE
35
75
100
35
250
直流 电流 增益 BCW65CLT1
(i
C
= 100
模数转换器, v
CE
= 10 vdc)
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 100 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 500 madc, v
CE
= 2.0 vdc)
h
FE
80
180
250
100
630
集电级发射级 饱和 电压
(i
C
= 500 madc, i
B
= 50 madc)
(i
C
= 100 madc, i
B
= 10 madc)
V
ce(sat)
0.7
0.3
Vdc
根基发射级 饱和 电压
(i
C
= 500 madc, i
B
= 50 madc)
V
是(sat)
2.0
Vdc
SMALL−信号 特性
电流增益 — 带宽 产品
(i
C
= 20 madc, v
CE
= 10 vdc, f = 100 mhz)
f
T
100 MHz
输出 电容
(v
CB
= 10 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
obo
12 pF
输入 电容
(v
EB
= 0.5 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ibo
80 pF
噪音 图示
(v
CE
= 5.0 vdc, i
C
= 0.2 madc, r
S
= 1.0 k
, f = 1.0 khz, bw = 200 hz)
NF 10 dB
切换 特性
turn−on 时间
(i
B1
= i
B2
= 15 madc)
t
100 ns
turn−off 时间
(i
C
= 150 madc, r
L
= 150
)
t
400 ns
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