BCW65CLT1_集成电路资料查询网

bcw65alt1, bcw65clt1
http://onsemi.com
3
包装 维度
sot−23 (to−236)
情况 318−08
公布 ak

mm
英寸

规模 10:1
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
D
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一个
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DIM
一个
最小值 最大值 最小值 最大值
毫米
0.1102 0.1197 2.80 3.04
英寸
B
0.0472 0.0551 1.20 1.40
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K
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S
0.0830 0.1039 2.10 2.64
V
0.0177 0.0236 0.45 0.60
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi
y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
3. 最大 含铅的 厚度 包含 含铅的
完成 厚度. 最小 含铅的
厚度 是 这 最小 厚度 的
根基 材料.
4. 318−03 和 −07 废弃的, 新 标准
318−08.
样式 6:
管脚 1. 根基
2. 发射级
3. 集电级

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bcw65alt1, bcw65clt1 http://onsemi.com 3 包装维度 sot−23 (to−236) 情况 318−08 公布 ak  mm 英寸  规模 10:1 0.8 0.031 0.9 0.035 0.95 0.037 0.95 0.037 2.0 0.079 For额外的信息在我们的 pb−free strategy 和焊接详细信息, 请下载这在半导体焊接和挂载技巧涉及手工的, solderrm/d. 焊接 footprint D J K L 一个 C B S H GV 3 1 2 DIM 一个最小值最大值最小值最大值毫米 0.1102 0.1197 2.80 3.04 英寸 B 0.0472 0.0551 1.20 1.40 C 0.0350 0.0440 0.89 1.11 D 0.0150 0.0200 0.37 0.50 G 0.0701 0.0807 1.78 2.04 H 0.0005 0.0040 0.013 0.100 J 0.0034 0.0070 0.085 0.177 K 0.0140 0.0285 0.35 0.69 L 0.0350 0.0401 0.89 1.02 S 0.0830 0.1039 2.10 2.64 V 0.0177 0.0236 0.45 0.60 注释: 1. dimensioning 和 tolerancing 每 ansi y14.5m, 1982. 2. controlling 维度: inch. 3. 最大含铅的厚度包含含铅的完成厚度. 最小含铅的厚度是这最小厚度的根基材料. 4. 318−03 和 −07 废弃的, 新标准 318−08. 样式 6: 管脚 1. 根基 2. 发射级 3. 集电级

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