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资料编号:164705
 
资料名称:BCW61C
 
文件大小: 183.12K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw61, bcx71
6 jul-10-2001
集电级-根基 电容
C
CB
=
f
(
V
CBO
)
发射级-根基 电容
C
EB
=
f
(
V
EBO
)
10
ehp00344bcw 61/bcx 71
-1 1
10V10
0
6
12
pF
0
2
4
8
10
CBO
VV
EBO
EBO
C
C
CBO
EBO
C
C
CBO
)(
)(
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
S
)
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
mW
360
P
tot
容许的 脉冲波 加载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(
t
p
)
10
ehp00345bcw 61/bcx 71
-6
0
10
5
D
=
5
10
1
5
10
2
3
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
t
p
=
D
T
t
p
T
tot 最大值
tot
P
直流
P
p
t
转变 频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v
10
ehp00347bcw 61/bcx 71
03
10mA
1
10
3
10
5
5
10
1
10
2
10
2
C
T
f
MHz
Ι
55
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