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资料编号:164705
 
资料名称:BCW61C
 
文件大小: 183.12K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


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bcw61, bcx71
7 jul-10-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 40
0
10
EHP00349bcw 61/bcx 71
CEsat
V
V 0.5
-1
10
0
10
1
2
10
5
5
Ι
C
毫安
0.1 0.2 0.3 0.4
˚C
100
25
˚C
-50
˚C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 40
0
10
EHP00348bcw 61/bcx 71
是 sat
V
0.6 V 1.2
-1
10
0
10
1
2
10
5
5
Ι
C
毫安
0.2 0.4 0.8
˚
C
25
100
˚
C
-50
˚
C
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v
10
EHP00351bcw 61/bcx 71
-2 2
10mA
0
10
3
10
5
5
10
-1
10
0
10
1
C
FE
h
Ι
1
10
2
10
˚
C
100
5
25
˚
C
-50
˚
C
集电级 电流
I
C
=
f
(
V
)
V
CE
= 5v
0
10
ehp00350bcw 61/bcx 71
V
0.5 V 1.0
-2
10
-1
10
0
2
10
5
5
Ι
C
毫安
5
1
10
˚
C
100 25 -50
˚
C
˚
C
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