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资料编号:164705
资料名称:
BCW61C
文件大小: 183.12K
说明
:
介绍
:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
: 点此下载
3
4
5
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7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw61, bcx71
7
jul-10-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 40
0
10
EHP00349
bcw 61/bcx 71
CEsat
V
V
0.5
-1
10
0
10
1
2
10
5
5
Ι
C
毫安
0.1
0.2
0.3
0.4
˚C
100
25
˚C
-50
˚C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 40
0
10
EHP00348
bcw 61/bcx 71
是 sat
V
0.6
V
1.2
-1
10
0
10
1
2
10
5
5
Ι
C
毫安
0.2
0.4
0.8
˚
C
25
100
˚
C
-50
˚
C
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v
10
EHP00351
bcw 61/bcx 71
-2
2
10mA
0
10
3
10
5
5
10
-1
10
0
10
1
C
FE
h
Ι
1
10
2
10
˚
C
100
5
25
˚
C
-50
˚
C
集电级 电流
I
C
=
f
(
V
是
)
V
CE
= 5v
0
10
ehp00350bcw 61/bcx 71
是
V
0.5
V
1.0
-2
10
-1
10
0
2
10
5
5
Ι
C
毫安
5
1
10
˚
C
100
25
-50
˚
C
˚
C
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