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bcw65, bcw66
3 jul-10-2001
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
直流 电流 增益  1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 2 v
h
FE
-grp.
一个/f
h
FE
-grp.
b/g
h
FE
-grp.
c/h
h
FE
-
-
-
35
60
100
-
-
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 10 毫安
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
CEsat
-
-
-
-
0.3
0.7
V
根基-发射级 饱和 电压  1)
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 10 毫安
I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 毫安
V
BEsat
-
-
-
-
1.25
2
交流 特性
转变 频率
I
C
= 50 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 20 mhz
f
T
- 170 - MHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
- 6 - pF
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
- 60 -

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bcw65, bcw66 3 jul-10-2001 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性直流电流增益 1) I C = 500 毫安, V CE = 2 v h FE -grp. 一个/f h FE -grp. b/g h FE -grp. c/h h FE - - - 35 60 100 - - - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 100 毫安, I B = 10 毫安 I C = 500 毫安, I B = 50 毫安 V CEsat - - - - 0.3 0.7 V 根基-发射级饱和电压 1) I C = 100 毫安, I B = 10 毫安 I C = 500 毫安, I B = 50 毫安 V BEsat - - - - 1.25 2 交流特性转变频率 I C = 50 毫安, V CE = 5 v, f = 20 mhz f T - 170 - MHz 集电级-根基电容 V CB = 10 v, f = 1 mhz C cb - 6 - pF 发射级-根基电容 V EB = 0.5 v, f = 1 mhz C eb - 60 -

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