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资料编号:164713
资料名称:
BCW66G
文件大小: 181.85K
说明
:
介绍
:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bcw65, bcw66
5
jul-10-2001
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
10
0
600
bcw 65/66
EHP00395
V
ce sat
10
毫安
10
10
10
3
2
1
0
-1
5
5
5
mV
200
400
800
150
25
-50
C
Ι
˚
C
˚
C
˚
C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
10
03
bcw 65/66
EHP00394
V
是 sat
10
毫安
10
Ι
C
10
10
3
2
1
0
-1
5
5
5
V
12
4
150
25
-50
˚
C
˚
C
˚
C
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1v
10
10
10
10
bcw 65/66
EHP00396
h
毫安
-1
0
2
3
FE
3
10
10
2
0
10
5
5
10
1
1
10
5
100
25
-50
55
5
C
Ι
˚
C
˚
C
˚
C
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