BCX68-10_集成电路资料查询网

BCX68
六月-29-20012
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
特性
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 30 毫安,
I
B
= 0
V
(br)ceo
20 - - V
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
B
= 0
V
(br)cbo
25 - -
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 1 µa,
I
C
= 0
V
(br)ebo
5 - -
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0
I
CBO
- - 100 nA
集电级 截止 电流
V
CB
= 25 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
- - 100 µA
直流 电流 增益  1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 10 v
h
FE
50 - - -
直流 电流 增益  1)
I
C
= 500 毫安,
V
CE
= 1 v
BCX68
bcx68-10
bcx68-16
bcx68-25
h
FE
85
85
100
160
-
100
160
250
375
160
250
375
直流 电流 增益  1)
I
C
= 1 一个,
V
CE
= 1 v
h
FE
60 - -
集电级-发射级 饱和 voltage1)
I
C
= 1 一个,
I
B
= 100 毫安
V
CEsat
- - 0.5 V
根基-发射级 电压  1)
I
C
= 5 毫安,
V
CE
= 10 v
I
C
= 1 一个,
V
CE
= 1 v
V
是(在)
-
-
0.6
-
-
1
交流 特性
转变 频率
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 5 v,
f
= 20 mhz
f
T
- 100 - MHz
1)  脉冲波 测试: t
≤
=
300
µ
s, d = 2%

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BCX68 六月-29-20012 电的特性在 T 一个 = 25°c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值特性集电级-发射级损坏电压 I C = 30 毫安, I B = 0 V (br)ceo 20 - - V 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I B = 0 V (br)cbo 25 - - 发射级-根基损坏电压 I E = 1 µa, I C = 0 V (br)ebo 5 - - 集电级截止电流 V CB = 25 v, I E = 0 I CBO - - 100 nA 集电级截止电流 V CB = 25 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c I CBO - - 100 µA 直流电流增益 1) I C = 5 毫安, V CE = 10 v h FE 50 - - - 直流电流增益 1) I C = 500 毫安, V CE = 1 v BCX68 bcx68-10 bcx68-16 bcx68-25 h FE 85 85 100 160 - 100 160 250 375 160 250 375 直流电流增益 1) I C = 1 一个, V CE = 1 v h FE 60 - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 1 一个, I B = 100 毫安 V CEsat - - 0.5 V 根基-发射级电压 1) I C = 5 毫安, V CE = 10 v I C = 1 一个, V CE = 1 v V 是(在) - - 0.6 - - 1 交流特性转变频率 I C = 100 毫安, V CE = 5 v, f = 20 mhz f T - 100 - MHz 1) 脉冲波测试: t ≤ = 300 µ s, d = 2%

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