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资料编号:164913
 
资料名称:BCX68-10
 
文件大小: 144.87K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High collector current)
 
 


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BCX68
六月-29-20014
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1v
10 10 10 10
bcx 68 EHP00464
h
毫安
0
1
34
FE
3
10
10
2
0
10
5
5
10
1
2
10
5
100
25
-50
555
C
Ι
˚
C
˚
C
˚
C
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
0 0.4 0.8
bcx 68 EHP00465
V
ce sat
V
毫安
10
4
1
10
10
10
2
10
10
3
10
5
5
5
10
0
0.2 0.6
100
25
-50
C
Ι
˚
C
˚
C
˚
C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
10
0 0.6
bcx 68 EHP00467
V
是 sat
10
毫安
10
10
10
4
3
2
1
0
5
5
5
V
0.2 0.4 0.8 1.0
1.2
100
25
-50
C
Ι
˚
C
˚
C
˚
C
集电级 截止 电流
I
CBO
=
f
(
T
一个
)
V
CB
= 25v
10
0 50 100 150
bcx 68 EHP00466
T
一个
5
10
10
nA
10
Ι
CB0
5
5
5
10
10
5
4
3
2
1
0
最大值
典型值
˚
C
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