©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 六月 2001
bd439/441
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 搏动
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: bd439
: bd441
60
80
V
V
V
CES
集电级-发射级 电压
: bd439
: bd441
60
80
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bd439
: bd441
60
80
V
V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 4 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 7 一个
I
B
根基 电流 1 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 36 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
CEO
(sus) * 集电级-发射级 sustaining 电压
: bd439
: bd441
I
C
= 100ma, i
B
= 0 60
80
V
V
I
CBO
集电级 截-止 电流 : bd439
: bd441
V
CB
= 60v, i
E
= 0
V
CB
= 80v, i
E
= 0
100
100
µ
一个
µ
一个
I
CES
集电级 截-止 电流 : bd439
: bd441
V
CE
= 60v, v
是
= 0
V
CE
= 80v, v
是
= 0
100
100
µ
一个
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 5v, i
C
= 0 1 毫安
h
FE
* 直流 电流 增益 : bd439
: bd441
: bd439
: bd441
: bd439
: bd441
V
CE
= 5v, i
C
= 10ma
V
CE
=1v, i
C
= 500ma
V
CE
= 1v, i
C
= 2a
20
15
40
40
25
15
130
130
140
140
V
CE
(sat) * 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 2a, i
B
= 0.2a 0.8 V
V
是
(在) * 根基-发射级 在 电压 V
CE
= 5v, i
C
= 10ma
V
CE
= 1v, i
C
= 2a
0.58
1.5
V
V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 1v, i
C
= 250ma 3 MHz
bd439/441
中等 电源 直线的 和 切换
产品
• complement 至 bd440, bd442 各自
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基
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