©2001 仙童 半导体 公司
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rev. a1, 六月 2001
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 根基-发射级 在 电压 图示 4. 集电级-根基 电容
图示 5. safe 运行 范围 图示 6. 电源 减额
0.01 0.1 1 10
1
10
100
1000
V
CE
= 1v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10
0.01
0.1
1
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.3 0.5 0.8 1.0 1.3 1.5 1.8 2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
CE
= 1v
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 电压
0.1 1 10 100
1
10
100
1000
C
CBO
(pf), 集电级 根基 电容
V
CB
[v], 集电级 根基 电压
110100
0.1
1
10
1
µ
s
10
µ
s
100
µ
s
1ms
10ms
I
C
最大值 (搏动)
BD441
BD439
直流
I
C
最大值 (持续的)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
6
12
18
24
30
36
42
48
P
C
[w], 电源 消耗
T
C
[
o
c], 情况 温度