BDX65A_集成电路资料查询网

comset 半导体
3/4
bdx 65, 一个, b, c
标识 比率
测试 情况(s)
最小值 典型值 Mx 单位
I
EBO
发射级 截止 电流
V
是
=5 v
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
--5.0ma
V
CBO
=60 v
--0.4
V
CBO
=60 v
T
情况
=150°C
BDX65
--3
V
CBO
=80 v
--0.4
V
CBO
=80 v
T
情况
=150°C
BDX65A
--3
V
CBO
=100 v
--0.4
V
CBO
=100 v
T
情况
=150°C
BDX65B
--3
V
CBO
=120 v
--0.4
I
CBO
集电级-根基 截止
电流
V
CBO
=120 v
T
情况
=150°
BDX65C
-
-
3
毫安
V
ce(sat)
集电级-发射级 饱和
电压 (*)
I
C
=5.0 一个, i
B
=20 毫安
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
--2V
V
F
向前 电压 (脉冲波
方法)
I
F
=3 一个
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
-
1.8
-v
V
是
根基-发射级 电压 (*)
I
C
=5.0 一个, v
CE
=3V
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
--3V
F
h21e
向前 电流 转移
比率 截止 频率
V
CE
=3 v, i
C
=5 一个
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
-
60 - kHz

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comset 半导体 3/4 bdx 65, 一个, b, c 标识比率测试情况(s) 最小值典型值 Mx 单位 I EBO 发射级截止电流 V 是 =5 v BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C --5.0ma V CBO =60 v --0.4 V CBO =60 v T 情况 =150°C BDX65 --3 V CBO =80 v --0.4 V CBO =80 v T 情况 =150°C BDX65A --3 V CBO =100 v --0.4 V CBO =100 v T 情况 =150°C BDX65B --3 V CBO =120 v --0.4 I CBO 集电级-根基截止电流 V CBO =120 v T 情况 =150° BDX65C - - 3 毫安 V ce(sat) 集电级-发射级饱和电压 () I C =5.0 一个, i B =20 毫安 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C --2V V F 向前电压 (脉冲波方法) I F =3 一个 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C - 1.8 -v V 是根基-发射级电压 () I C =5.0 一个, v CE =3V BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C --3V F h21e 向前电流转移比率截止频率 V CE =3 v, i C =5 一个 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C - 60 - kHz

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