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comset 半导体
1/4
bdx 65, 一个, b, c
绝对 最大 比率
标识 比率 值 单位
BDX65
60
BDX65A
80
BDX65B
100
V
CEO
集电级-发射级 电压
BDX65C
120
V
BDX65
80
BDX65A
100
BDX65B
120
V
CEV
集电级-emittervoltage V
是
=-1.5 v
BDX65C
120
V
V
EBO
发射级-根基 电压
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
5.0 V
I
c(rms)
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
12
I
C
集电级 电流
I
CM
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
16
一个
I
B
根基 电流
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
0.2
一个
P
T
电源 消耗 @ t
C
= 25°
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
117
Watts
w/°c
T
J
接合面 温度
T
S
存储 温度
BDX65
BDX65A
BDX65B
BDX65C
-55 至 +200 °C
一般 目的 darlingtons 设计 为 电源 放大器 和 切换
产品.
npn 硅 darlingtons

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comset 半导体 1/4 bdx 65, 一个, b, c 绝对最大比率标识比率值单位 BDX65 60 BDX65A 80 BDX65B 100 V CEO 集电级-发射级电压 BDX65C 120 V BDX65 80 BDX65A 100 BDX65B 120 V CEV 集电级-emittervoltage V 是 =-1.5 v BDX65C 120 V V EBO 发射级-根基电压 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C 5.0 V I c(rms) BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C 12 I C 集电级电流 I CM BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C 16 一个 I B 根基电流 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C 0.2 一个 P T 电源消耗 @ t C = 25° BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C 117 Watts w/°c T J 接合面温度 T S 存储温度 BDX65 BDX65A BDX65B BDX65C -55 至 +200 °C 一般目的 darlingtons 设计为电源放大器和切换产品. npn 硅 darlingtons

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