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资料编号：169252
 
资料名称：BF1009
 
文件大小： 33.34K
   
说明：
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
 
 


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bf 1009
半导体 组
2 sep-09-1998
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
流-源 损坏 电压
I
D
= 300 µa,
-
V
G1S
= 4 v,
-
V
G2S
= 4 v
v-
V
(br)ds
-16
门 1 源 损坏 电压
±
I
G1S
= 10 毫安,
V
G2S
=
V
DS
= 0
- 12
±
V
(br)g1ss
8
门 2 源 损坏 电压
±
I
G2S
= 10 毫安,
V
G1S
= 0 v,
V
DS
= 0 v
- 169
±
V
(br)g2ss
门 1 源 电流
V
G1S
= 6 v,
V
G2S
= 0 v
- -
µA60
+
I
G1SS
门 2 源 泄漏 电流
±
V
G2S
= 8 v,
V
G1S
= 0 v,
V
DS
= 0 v
±
I
G2SS
-- nA50
I
DSS
- 500
µa-
流 电流
V
DS
= 9 v,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 v
I
DSO
8 10
运行 电流 (selfbiased)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 v
毫安-
V
g2s(p)
- 0.9 - V
门 2-源 pinch-止 电压
V
DS
= 9 v,
I
D
= 100 µa
交流 特性
向前 跨导 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 v,
f
= 1 khz
g
fs
- 24 - mS
门 1-输入 电容 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 ,
f
= 1 mhz
C
g1ss
- 2.1 2.5 pF
输出 电容 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 ,
f
= 100 mhz
C
dss
- 0.9 -
电源 增益 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800 mhz
G
ps
- 22 - dB
噪音 图示 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 ,
f
= 800 mhz
F
800
- 1.4 -
增益 控制 范围 (自 片面的)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 1 v,
f
= 800 mhz
∆
G
ps
40 50 -
半导体 组 2 1998-11-01
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