关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:169252
资料名称:
BF1009
文件大小: 33.34K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
: 点此下载
1
2
3
4
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bf 1009
半导体 组
3
sep-09-1998
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
S
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
0
50
100
150
200
mW
300
P
tot
流 电流
I
D
=
f
(
V
G2S
)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
毫安
11
I
D
向前 转移 admittance
|
Y
21
| =
f
(
V
G2S
)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
mS
26
|
Y
21
|
嵌入 电源 增益
|
S
21
|
2
=
f
(
V
G2S
)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
V
G2S
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
dB
10
| s
21
|
2
半导体 组
3
1998-11-01
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com