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资料编号:169252
 
资料名称:BF1009
 
文件大小: 33.34K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9 V Integrated stabilized bias network
 
 


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bf 1009
半导体 组
3 sep-09-1998
总的 电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
S
)
0 20 40 60 80 100 120
°C
150
T
S
0
50
100
150
200
mW
300
P
tot
流 电流
I
D
=
f
(
V
G2S
)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
V
6.0
V
G2S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
毫安
11
I
D
向前 转移 admittance
|
Y
21
| =
f
(
V
G2S
)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
V
6.0
V
G2S
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
mS
26
|
Y
21
|
嵌入 电源 增益
|
S
21
|
2
=
f
(
V
G2S
)
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0
V
6.0
V
G2S
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
dB
10
| s
21
|
2
半导体 组 3 1998-11-01
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