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资料编号:169253
 
资料名称:BF1009S
 
文件大小: 51.89K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)
 
 


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二月-18-2004
2
bf1009s...
热的 阻抗
参数
标识 单位
频道 - 焊接 要点
1)
bf1009s, bf1009sr
BF1009SW
R
thchs
370
280
k/w
电的 特性
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
流-源 损坏 电压
I
D
= 300 µa,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
V
(br)ds
12 - - V
gate1-源 损坏 电压
+
I
G1S
= 10 毫安,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
+
V
(br)g1ss
8 - 12
gate2 源 损坏 电压
±
I
G2S
= 10 毫安,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
±
V
(br)g2ss
10 - 16
gate1-源 泄漏 电流
V
G1S
= 6 v,
V
G2S
= 0
+
I
G1SS
- - 60 µA
门 2 源 泄漏 电流
±
V
G2S
= 8 v,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
±
I
G2SS
- - 50 nA
流 电流
V
DS
= 9 v,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 v
I
DSS
- - 500 µA
运行 电流 (selfbiased)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 v
I
DSO
10 14 19 毫安
gate2-源 pinch-止 电压
V
DS
= 9 v,
I
D
= 100 µa
V
g2s(p)
- 0.9 - V
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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