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资料编号:169253
资料名称:
BF1009S
文件大小: 51.89K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
二月-18-2004
2
bf1009s...
热的 阻抗
参数
标识
值
单位
频道 - 焊接 要点
1)
bf1009s, bf1009sr
BF1009SW
R
thchs
≤
370
≤
280
k/w
电的 特性
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
直流 特性
流-源 损坏 电压
I
D
= 300 µa,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 0
V
(br)ds
12
-
-
V
gate1-源 损坏 电压
+
I
G1S
= 10 毫安,
V
G2S
= 0 ,
V
DS
= 0
+
V
(br)g1ss
8
-
12
gate2 源 损坏 电压
±
I
G2S
= 10 毫安,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
±
V
(br)g2ss
10
-
16
gate1-源 泄漏 电流
V
G1S
= 6 v,
V
G2S
= 0
+
I
G1SS
-
-
60
µA
门 2 源 泄漏 电流
±
V
G2S
= 8 v,
V
G1S
= 0 ,
V
DS
= 0
±
I
G2SS
-
-
50
nA
流 电流
V
DS
= 9 v,
V
G1S
= 0 ,
V
G2S
= 6 v
I
DSS
-
-
500
µA
运行 电流 (selfbiased)
V
DS
= 9 v,
V
G2S
= 6 v
I
DSO
10
14
19
毫安
gate2-源 pinch-止 电压
V
DS
= 9 v,
I
D
= 100 µa
V
g2s(p)
-
0.9
-
V
1
为 计算 的
R
thJA
请 谈及 至 应用 便条 热的 阻抗
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