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资料编号:169253
 
资料名称:BF1009S
 
文件大小: 51.89K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 9V Integrated bias network)
 
 


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二月-18-2004
4
bf1009s...
总的 电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
S
)
bf1009s, bf1009sr
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
mW
220
P
tot
总的 电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
S
)
BF1009SW
0 15 30 45 60 75 90 105 120
°C
150
T
S
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
毫安
220
P
tot
流 电流
I
D
=
ƒ
(
V
G2S
)
0 1 2 3 4
V
6
V
G2S
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
毫安
15
I
D
嵌入 电源 增益
|
S
21
|² =
ƒ
(
V
G2S
)
0 1 2 3 4
V
6
V
G2S
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
dB
10
|
S
21
|
2
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