1995 apr 25 2
飞利浦 半导体 产品 规格
双-门 mos-fets bf1100; bf1100r
特性
•
specially 设计 为 使用 在 9 至 12 v 供应 电压
•
短的 频道 晶体管 和 高 向前 转移
admittance 至 输入 电容 比率
•
低 噪音 增益 控制 放大器 向上 至 1 GHz
•
更好的 交叉-调制 效能 在 agc.
产品
•
vhf 和 uhf 产品 此类 作 television tuners 和
专业的 communications 设备.
描述
增强 类型 地方-效应 晶体管 在 一个 塑料
microminiature sot143 或者 sot143r 包装. 这
晶体管 组成 的 一个 放大器 mos-场效应晶体管 和 源
和 基质 interconnected 和 一个 内部的 偏差 电路 至
确保 好的 交叉-调制 效能 在 agc.
固定
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装. 这
门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
管脚 标识 描述
1 s, b 源
2 d 流
3g
2
门 2
4g
1
门 1
图.1 simplified 外形 (sot143) 和 标识.
bf1100 标记 代号:
m56.
handbook, halfpage
43
21
顶 视图
MAM124
s,b
d
g
1
g
2
图.2 simplified 外形 (sot143r) 和 标识.
bf1100r 标记 代号:
m57.
handbook, halfpage
顶 视图
mam125 - 1
s,b
d
g
1
g
2
34
12
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−−
14 V
I
D
流 电流
−−
30 毫安
P
tot
总的 电源 消耗
−−
200 mW
T
j
运行 接合面 温度
−−
150
°
C
y
fs
向前 转移 admittance 24 28 33 mS
C
ig1-s
输入 电容 在 门 1
−
2.2 2.6 pF
C
rs
反转 转移 电容 f=1MHz
−
25 35 fF
F 噪音 figure f = 800 mhz
−
2
−
dB
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