1995 apr 25 6
飞利浦 半导体 产品 规格
双-门 mos-fets bf1100; bf1100r
图.7 输出 特性; 典型 值.
V
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
20
16
4
8
12
0
416
MLD159
812
I
D
(毫安)
v (v)
DS
1.3 v
1.2 v
1.1 v
1.0 v
0.9 v
v = 1.4 v
g1 s
图.8 转移 特性; 典型 值.
V
DS
= 9 至 12 v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
20
16
4
8
12
0
0.4 2.0
MLD160
0.8 1.2 1.6
I
D
(毫安)
v (v)
g1 s
v = 4 v
2.5 v
2 v
1.5 v
1 v
g2 s
3 v
图.9 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 1
电压; 典型 值.
V
DS
= 9 至 12 v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0123
250
200
150
50
0
100
MLD161
I
G1
(
µ
一个)
v (v)
g1 s
3 v
2.5 v
2 v
3.5 v
v = 4 v
g2 s
图.10 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
V
DS
= 9 至 12 v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
40
20
30
10
0
10 20 30
MLD162
y
fs
(ms)
i (毫安)
D
3 v
2.5 v
2 v
v = 4 v
g2 s
3.5 v
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