2000 三月 29 4
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 polo mos-fets
bf1201; bf1201r;
BF1201WR
静态的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
便条
1. R
G1
connects g
1
至 v
GG
=5v.
动态 特性
一般 源; t
amb
=25
°
c; v
g2-s
=4v; v
DS
=5v; i
D
= 15 毫安; 除非 否则 specified.
便条
1. 量过的 在 图.21 测试 电路.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 电压 V
g1-s
=V
g2-s
= 0; i
D
=10
µ
A10
−
V
V
(br)g1-ss
门 1-源 损坏 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
g1-s
=10mA 6
−
V
V
(br)g2-ss
门 2-源 损坏 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
g2-s
=10mA 6
−
V
V
(f)s-g1
向前 源-门 1 电压 V
g2-s
=V
DS
= 0; i
s-g1
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
(f)s-g2
向前 源-门 2 电压 V
g1-s
=V
DS
= 0; i
s-g2
= 10 毫安 0.5 1.5 V
V
g1-s(th)
门 1-源 门槛 电压 V
g2-s
=4v; v
DS
=5v; i
D
= 100
µ
一个 0.3 1.0 V
V
g2-s(th)
门 2-源 门槛 电压 V
g1-s
=V
DS
=5v; i
D
= 100
µ
一个 0.3 1.2 V
I
DSX
流-源 电流 V
g2-s
=4v; v
DS
=5v; r
G1
=62k
Ω
;
便条 1
11 19 毫安
I
g1-ss
门 1 截-止 电流 V
g2-s
=V
DS
= 0; v
g1-s
=5V
−
50 nA
I
g2-ss
门 2 截-止 电流 V
g1-s
=V
DS
= 0; v
g2-s
=4V
−
20 nA
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
y
fs
向前 转移 admittance 搏动; t
j
=25
°
C 232835mS
C
ig1-ss
输入 电容 在 门 1 f = 1 MHz
−
2.6 3.1 pF
C
ig2-ss
输入 电容 在 门 2 f = 1 MHz
−
1.1
−
pF
C
oss
输出 电容 f = 1 MHz
−
0.9
−
pF
C
rss
反转 转移 电容 f = 1 MHz
−
15 30 fF
F 噪音 figure f = 10.7 mhz; g
S
= 20 ms; b
S
=0
−
57dB
f = 400 mhz; y
S
=Y
S opt
−
1 1.8 dB
f = 800 mhz; y
S
=Y
S opt
−
1.9 2.5 dB
G
tr
电源 增益 f = 200 mhz; g
S
= 2 ms; b
S
=B
S opt
;
G
L
= 0.5 ms; b
L
=B
L opt
;
−
33.5
−
dB
f = 400 mhz; g
S
= 2 ms; b
S
=B
S opt
;
G
L
= 1 ms; b
L
=B
L opt
;
−
29
−
dB
f = 800 mhz; g
S
= 3.3 ms; b
S
=B
S opt
;
G
L
= 1 ms; b
L
=B
L opt
;
−
24
−
dB
X
mod
交叉-调制 输入 水平的 为 k = 1%; f
w
= 50 mhz;
f
unw
= 60 mhz; 便条 1
在 0 db agc 90
−−
dB
µ
V
在 10 db agc
−
95
−
dB
µ
V
在 40 db agc 105
−−
dB
µ
V
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