2000 三月 29 5
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 polo mos-fets
bf1201; bf1201r;
BF1201WR
handbook, halfpage
0 2.5
25
0
5
10
15
20
0.5 1 1.5 2
V
g1-s
(v)
I
D
(毫安)
MCD935
V
g2-s
=
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
2 v
1.5 v
1 v
图.5 转移 特性; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
010
24
0
8
16
2
V
DS
(v)
I
D
(毫安)
648
MCD936
V
g1-s
=
1.8 v
1.7 v
1.5 v
1.6 v
1.4 v
1.3 v
1.2 v
图.6 输出 特性; 典型 值.
V
g2-s
=4v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0 2.5
100
0
20
40
60
80
0.5 1 1.5 2
V
g1-s
(v)
I
G1
(
µ
一个)
MCD937
V
g2-s
=
4 v
3.5 v
3 v
2.5 v
2 v
1.5 v
图.7 门 1 电流 作 一个 函数 的 门 1
电压; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
handbook, halfpage
0
I
D
(毫安)
525
40
30
10
0
20
10 15 20
MCD938
y
fs
(ms)
3.5 v
2.5 v
3 v
2 v
V
g2-s
=
4 v
图.8 向前 转移 admittance 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
V
DS
=5v.
T
j
=25
°
c.
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