12月 1997 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 field-效应 晶体管 bf510 至 513
描述
asymmetrical n-频道 planar
外延的 接合面 地方-效应
晶体管 在 这 小型的 塑料
封套 将 为 产品 向上
至 这 v.h.f. 范围 在 混合的 厚 和
薄的-影片 电路. 特定的 特性 是
这 低 反馈 电容 和 这
低 噪音 图示. 这些 特性
制造 这 产品 非常 合适的 为
产品 此类 作 这 r.f. stages 在
f.m. portables (bf510), 车 收音机
(bf511) 和 mains 收音机 (bf512) 或者
这 mixer 平台 (bf513).
固定 - sot23
1 = 门
2 = 流
3 = 源
标记 代号
BF510 = S6p
BF511 = S7p
BF512 = S8p
BF513 = S9p
图.1 simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
12
g
d
s
3
顶 视图
MAM385
快 涉及 数据
流-源 电压 V
DS
最大值 20 V
流 电流 (直流 或者 平均) I
D
最大值 30 毫安
总的 电源 消耗
向上 至 t
amb
=40
°
CP
tot
最大值 250 mW
BF510 511 512 513
流 电流
>
0.7 2.5 6 10 毫安
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 I
DSS
<
3.0 7.0 12 18 毫安
转移 admittance (一般 源)
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0; f = 1 khz
y
fs
>
2.5 4 6 7 mS
反馈 电容
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 C
rs
典型值 0.3 0.3
−−
pF
V
DS
= 10 v; i
D
= 5 毫安 C
rs
典型值
−−
0.3 0.3 pF
噪音 figure 在 最佳的 源 admittance
G
S
= 1 ms;
−
B
S
= 3 ms; f = 100 mhz
V
DS
= 10 v; v
GS
= 0 F 典型值 1.5 1.5
−−
dB
V
DS
= 10 v; i
D
= 5 毫安 F 典型值
−−
1.5 1.5 dB
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