12月 1997 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 硅 field-效应 晶体管 bf510 至 513
比率
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
热的 阻抗
便条
1. 挂载 在 一个 陶瓷的 基质 的 8 mm
×
10 mm
×
0.7 mm.
静态的 特性
T
amb
=25
°
C
流-源 电压 V
DS
最大值 20 V
流-门 电压 (打开 源) V
DGO
最大值 20 V
流 电流 (直流 或者 平均) I
D
最大值 30 毫安
门 电流
±
I
G
最大值 10 毫安
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=40
°
c (便条 1) P
tot
最大值 250 mW
存储 温度 范围 T
stg
−
65 至
+
150
°
C
接合面 温度 T
j
最大值 150
°
C
从 接合面 至 包围的 (便条 1) R
th j-一个
= 430 k/w
BF510 511 512 513
门 截-止 电流
−
V
GS
= 0.2 v; v
DS
=0
−
I
GSS
<
10 10 10 10 nA
门-流 损坏 电压
I
S
=0;
−
I
D
=10
µ
一个
−
V
(br)gdo
>
20 20 20 20 V
流 电流
>
<
0.7
3.0
2.5
7.0
6
12
10
18
毫安
毫安
V
DS
= 10 v; v
GS
=0 I
DSS
门-源 截-止 电压
I
D
=10
µ
一个; V
DS
= 10 v
−
V
(p)gs
典型值 0.8 1.5 2.2 3 V
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