1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
11
01.11.2003
高 电压 晶体管 bf 820, bf 822
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
直流 电流 增益 – kollekt或者-基准-stromverhältnis
1
)
V
CE
= 20 v, i
C
= 25 毫安 h
FE
50 – –
增益-带宽 product – transitfrequenz
V
CE
= 20 v, i
C
= 25 毫安, f = 100 mhz f
T
50 mhz – –
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 30 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– – 1.6 pf
热的 阻抗 – wärmewiderstand
接合面 至 包围的 空气 – sperrschicht zu umgebender luft R
thA
87 k/w
2
)
接合面 至 焊接 要点 – sperrschicht zu lötpad R
thS
27 k/w
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bf 721, bf 723
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