1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
10
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25 2.3
7
±0.3
1.65
3.5
±0.2
bf 720, bf 722 高 voltage 晶体管
NPN
表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
NPN
电源 消耗 – verlustleistung 1.5 w
塑料 情况 sot-223
Kunststoffgehäuse
重量 approx. – gewicht ca. 0.04 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b 2, 4 = c 3 = e
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bf 720 bf 722
集电级-发射级-电压 b 打开 V
CE0
300 v 250 v
集电级-根基-电压 e 打开 V
CB0
300 v 250 v
发射级-根基-电压 c 打开 V
EB0
5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
1.5 w
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) I
C
100 毫安
顶峰 集电级 电流– kollektor-spitzenstrom I
CM
200 毫安
顶峰 根基 电流 – 基准-spitzenstrom I
BM
100 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
集电级-根基 截止 电流 – kollektorreststrom
I
E
= 0, v
CB
= 200 v I
CB0
– – 10 na
I
E
= 0, v
CB
= 200 v, t
j
= 150
CI
CB0
– – 10
一个
发射级-根基 截止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, v
EB
= 5 v I
EB0
– – 50 na
集电级 饱和 volt. – kollektor-sättigungsspg.
2
)
I
C
= 30 毫安, i
B
= 5 毫安 V
CEsat
– – 600 mv
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