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资料编号:169644
 
资料名称:BF979
 
文件大小: 51.95K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Planar RF Transistor
 
 


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BF979
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 3, 20-jan-99
2 (5)
文档 号码 85006
电的 直流 特性
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ 最大值 单位
集电级 截-止 电流 –V
CE
= 20 v, v
= 0 –I
CES
100
m
一个
集电级-根基 截-止 电流 –V
CB
= 15 v, i
E
= 0 –I
CBO
100 nA
发射级-根基 截-止 电流 –V
EB
= 3 v, i
C
= 0 –I
EBO
10
m
一个
集电级-发射级 损坏 电压 –I
C
= 1 毫安, i
B
= 0 –V
(br)ceo
20 V
直流 向前 电流 转移 比率 –V
CE
= 10 v, –i
C
= 10 毫安 h
FE
20 50 90
电的 交流 特性
T
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定
参数 测试 情况 sym-
bol
最小值 Typ 最大值 单位
转变 频率 –V
CE
= 10 v, –i
C
= 10 毫安, f = 300 mhz f
T
1750 MHz
转变 频率 –V
CE
= 10 v, –i
C
= 30 毫安, f = 300 mhz f
T
1300 MHz
集电级-根基 电容 –V
CB
= 10 v, f = 1 mhz C
cb
0.6 pF
噪音 图示 –V
CE
= 10 v, –i
C
= 10 毫安, z
S
= 50
W
,
f = 800 mhz
F 3.4 4.2 dB
电源 增益 –V
CE
= 10 v, –i
C
= 10 毫安, z
S
= 50
W
, z
L
= 500
w,
f = 800 mhz
G
16 dB
集电级 电流 为 g
pbmax
–V
CE
= 10 v, z
L
= 500
w,
f = 800 mhz –I
C
10 毫安
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