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资料编号:169644
 
资料名称:BF979
 
文件大小: 51.95K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Planar RF Transistor
 
 


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BF979
vishay telefunken
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
rev. 3, 20-jan-99
3 (5)
文档 号码 85006
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
12845
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
tot
图示 1. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
0 5 10 15 20 25 30 35
–I
C
– 集电级 电流 ( 毫安 )
12848
f – 转变 频率 ( mhz )
T
–V
CB
=10V
f=300MHz
图示 2. 转变 频率 vs. 集电级 电流
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0 4 8 12 16 20
–V
CB
– 集电级 根基 电压 ( v )
12876
c – 集电级 根基 电容 ( pf )
cb
图示 3. 集电级 根基 电容 vs.
集电级 根基 电压
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