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半导体 组 2
bf 996 s
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
直流 特性
vdrain-源 损坏 电压
I
D
= 10
µ
一个, –
V
G1S
= –
V
G2S
= 4 V
V
(br) ds
20 – –
nagate 1 源 泄漏 电流
±
V
G1S
= 5 v,
V
G2S
=
V
DS
= 0
±
I
G1SS
––50
门 2 源 泄漏 电流
±
V
G2S
= 5 v,
V
G1S
=
V
DS
= 0
±
I
G2SS
––50
门 1 源 损坏 电压
±
I
G1S
= 10 毫安,
V
G2S
=
V
DS
= 0
±
V
(br) g1ss
8.5 – 14
门 2 源 损坏 电压
±
I
G2S
= 10 毫安,
V
G1S
=
V
DS
= 0
±
V
(br) g2ss
8.5 – 14
vgate 1 源 pinch-止 电压
V
DS
= 15 v,
V
G2S
= 4 v,
I
D
= 20
µ
一个
–
V
g1s (p)
– – 2.5
门 2 源 pinch-止 电压
V
DS
= 15 v,
V
G1S
= 0,
I
D
= 20
µ
一个
–
V
g2s (p)
– – 2.0
madrain 电流
V
DS
= 15 v,
V
G1S
= 0,
V
G2S
= 4 V
I
DSS
2–20
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值

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半导体组 2 bf 996 s 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. 直流特性 vdrain-源损坏电压 I D = 10 µ 一个, – V G1S = – V G2S = 4 V V (br) ds 20 – – nagate 1 源泄漏电流 ± V G1S = 5 v, V G2S = V DS = 0 ± I G1SS ––50 门 2 源泄漏电流 ± V G2S = 5 v, V G1S = V DS = 0 ± I G2SS ––50 门 1 源损坏电压 ± I G1S = 10 毫安, V G2S = V DS = 0 ± V (br) g1ss 8.5 – 14 门 2 源损坏电压 ± I G2S = 10 毫安, V G1S = V DS = 0 ± V (br) g2ss 8.5 – 14 vgate 1 源 pinch-止电压 V DS = 15 v, V G2S = 4 v, I D = 20 µ 一个 – V g1s (p) – – 2.5 门 2 源 pinch-止电压 V DS = 15 v, V G1S = 0, I D = 20 µ 一个 – V g2s (p) – – 2.0 madrain 电流 V DS = 15 v, V G1S = 0, V G2S = 4 V I DSS 2–20 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值

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