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半导体 组 3
bf 996 s
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
交流 特性
UnitValues
参数 标识
最小值 典型值 最大值
增益 控制 范围
V
DS
= 15 v,
V
G2S
= 4 … – 2 v,
f
= 800 MHz
(测试 电路 2)
∆
G
ps
40 – –
msforward 跨导
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 kHz
g
fs
15 18 –
门 2 输入 电容
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 MHz
C
g2ss
– 1.1 –
pfoutput 电容
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 MHz
C
dss
– 0.8 –
噪音 图示
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安
f
= 200 mhz,
G
G
= 2 ms,
G
L
= 0.5 mS
(测试 电路 1)
F
–1–
pfgate 1 输入 电容
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 MHz
C
g1ss
– 2.3 –
fffeedback 电容
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安,
V
G2S
= 4 v,
f
= 1 MHz
C
dg1
–25–
dbpower 增益
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安
f
= 200 mhz,
G
G
= 2 ms,
G
L
= 0.5 mS
(测试 电路 1)
G
ps
–25–
电源 增益
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安
f
= 800 mhz,
G
G
= 2.5 ms,
G
L
= 0.8 mS
(测试 电路 2)
G
ps
–18–
噪音 图示
V
DS
= 15 v,
I
D
= 10 毫安
f
= 800 mhz,
G
G
= 2.5 ms,
G
L
= 0.8 mS
(测试 电路 2)
F
– 1.8 –

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半导体组 3 bf 996 s 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. 交流特性 UnitValues 参数标识最小值典型值最大值增益控制范围 V DS = 15 v, V G2S = 4 … – 2 v, f = 800 MHz (测试电路 2) ∆ G ps 40 – – msforward 跨导 V DS = 15 v, I D = 10 毫安, V G2S = 4 v, f = 1 kHz g fs 15 18 – 门 2 输入电容 V DS = 15 v, I D = 10 毫安, V G2S = 4 v, f = 1 MHz C g2ss – 1.1 – pfoutput 电容 V DS = 15 v, I D = 10 毫安, V G2S = 4 v, f = 1 MHz C dss – 0.8 – 噪音图示 V DS = 15 v, I D = 10 毫安 f = 200 mhz, G G = 2 ms, G L = 0.5 mS (测试电路 1) F –1– pfgate 1 输入电容 V DS = 15 v, I D = 10 毫安, V G2S = 4 v, f = 1 MHz C g1ss – 2.3 – fffeedback 电容 V DS = 15 v, I D = 10 毫安, V G2S = 4 v, f = 1 MHz C dg1 –25– dbpower 增益 V DS = 15 v, I D = 10 毫安 f = 200 mhz, G G = 2 ms, G L = 0.5 mS (测试电路 1) G ps –25– 电源增益 V DS = 15 v, I D = 10 毫安 f = 800 mhz, G G = 2.5 ms, G L = 0.8 mS (测试电路 2) G ps –18– 噪音图示 V DS = 15 v, I D = 10 毫安 f = 800 mhz, G G = 2.5 ms, G L = 0.8 mS (测试电路 2) F – 1.8 –

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