1996 Oct 08 2
飞利浦 半导体 产品 规格
npn wideband 差别的 晶体管 BFE520
特性
•
小 大小
•
高 电源 增益 在 低 偏差 电流 和 电压
•
温度 matched
•
保持平衡 配置
•
h
FE
matched
•
持续 至 运作 在 v
CE
<1v.
产品
•
单独的 保持平衡 mixers
•
保持平衡 放大器
•
保持平衡 oscillators.
描述
发射级 结合 双 npn 硅 rf 晶体管 在 一个 表面
挂载 5-管脚 sot353 (s-迷你) 包装. 这 晶体管 是
primarily 将 为 产品 在 这 rf front 终止 作 一个
保持平衡 mixer, 一个 差别的 放大器 在 相似物 和 数字的
cellular phones, 和 在 cordless phones, pagers 和
satellite tv-tuners.
固定 - sot353b
管脚 标识 描述
b
1
1 根基 1
e 2 发射级
b
2
3 根基 2
c
2
4 集电级 2
c
1
5 集电级 1
handbook, halfpage
13
5
4
2
顶 视图
MAM211
c
1
c
2
e
b
1
b
2
图.1 simplified 外形 和 标识.
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
任何 单独的 晶体管
C
re
反馈 电容 c
BC
I
e
= 0; v
CB
= 3 v; f = 1 MHz
−
0.35 0.4 pF
msg/g
最大值
最大 电源 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 3 v; f = 900 MHz
−
16
−
dB
I
C
= 20 毫安; v
CE
= 3 v; f = 2 GHz
−
9
−
dB
F 噪音 figure I
C
= 5 毫安; v
CE
= 3 v; f = 900 mhz;
Γ
S
=
Γ
opt
−
1.1 1.6 dB
I
C
= 5 毫安; v
CE
= 3 v; f = 2 ghz;
Γ
S
=
Γ
opt
−
1.9
−
dB
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 3 V 60 120 250
R
th j-s
热的 阻抗 从
接合面 至 焊接 要点
单独的 承载
−−
230 k/w
翻倍 承载
−−
115 k/w
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