1996 Oct 08 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn wideband 差别的 晶体管 BFE520
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
便条
1. 最大 增益 的 这 差别的 放大器 是 高等级的 因为 的 内部的 发射级 连接 (看 图.2).
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性 的 任何 单独的 晶体管
V
(br)cbo
集电级-根基 损坏 电压 I
C
= 2.5
µ
一个; i
E
=0 20
−−
V
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=10
µ
一个; i
B
=0 8
−−
V
V
(br)ebo
发射级-根基 损坏 电压 I
E
= 2.5
µ
一个; i
C
= 0 2.5
−−
V
I
CBO
集电级-根基 泄漏 电流 I
E
= 0; v
CB
=6V
−−
50 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
= 6 V 60 120 250
直流 特性 的 这 双 晶体管
∆
h
FE
比率 的 最高的 和 最低 直流
电流 增益
I
C1
=I
C2
=20ma;
V
CE1
=V
CE2
=6V
1 1.2
−
∆
V
BEO
区别 在 最高的 和
最低 根基-发射级 电压
(补偿 电压)
I
E1
=I
E2
= 30 毫安; t
amb
=25
°
C0 1
−
mV
交流 特性 的 任何 单独的 晶体管
f
T
转变 频率 I
C
= 20 毫安; v
CE
=3v;
f = 1 GHz
−
9
−
GHz
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
= 3 v; f = 1 MHz
−
0.4 0.45 pF
C
re
反馈 电容 I
C
= 0; v
CB
=3v;f=1mhz
−
0.35 0.4 pF
msg/g
最大值
最大 电源 增益; 便条 1 I
C
= 20 毫安; v
CE
=3v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
−
16
−
dB
I
C
= 20 毫安; v
CE
=3v;
f = 2 ghz; t
amb
=25
°
C
−
9
−
dB
嵌入 电源 增益 I
C
= 20 毫安; v
CE
=3v;
f = 900 mhz; t
amb
=25
°
C
13 14
−
dB
F 噪音 figure I
C
= 5 毫安; v
CE
=3v;
f = 900 mhz;
Γ
S
=
Γ
opt
−
1.1 1.6 dB
I
C
= 5 毫安; v
CE
=3v;
f = 2 ghz;
Γ
S
=
Γ
opt
−
1.9
−
dB
s
21
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