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资料编号:169747
 
资料名称:BFG135A
 
文件大小: 49.64K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bfg 135a
oct-26-19991
npn 硅 rf 晶体管
为 低-扭曲量 broadband 放大器
stages 在 触角 和 telecommunication
系统 向上 至 2 ghz 在 集电级 电流 从
70 毫安 至 130 毫安
电源 放大器 为 dect 和 pcn 系统
整体的 发射级 ballast 电阻
f
T
= 6 ghz
VPS05163
1
2
3
4
静电释放
:
E
lectro
s
tatic
d
ischarge 敏感的 设备, 注意到 处理 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
bfg 135a BFG135A 1 = e 2 = b 3 = e 4 = c sot-223
最大 比率
参数
标识 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
15 V
集电级-发射级 电压
V
CES
25
集电级-根基 电压
V
CBO
25
发射级-根基 电压
V
EBO
2
集电级 电流
I
C
150 毫安
根基 电流
I
B
20
总的 电源 消耗
,
T
S
100 °c
f)
P
tot
1 W
接合面 温度
T
j
150 °C
包围的 温度
T
一个
-65 ... 150
存储 温度
T
stg
-65 ... 150
热的 阻抗
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
50
k/w
1
T
S
是 量过的 在 这 集电级 含铅的 在 这 焊接 要点 至 这 pcb
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