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资料编号:169747
资料名称:
BFG135A
文件大小: 49.64K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon RF Transistor (For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bfg 135a
oct-26-19993
电的 特性
在
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
交流 特性
(核实 用 随机的 抽样)
转变 频率
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 8 v,
f
= 200 mhz
f
T
4.5
6
-
GHz
集电级-根基 电容
V
CB
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
cb
-
1.3
1.8
pF
集电级-发射级 电容
V
CE
= 10 v,
f
= 1 mhz
C
ce
-
0.8
-
发射级-根基 电容
V
EB
= 0.5 v,
f
= 1 mhz
C
eb
-
7.5
-
噪音 图示
I
C
= 30 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
F
-
-
2
3.7
-
-
dB
电源 增益, 最大 有
f)
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
Sopt
,
Z
L
=
Z
Lopt
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
G
毫安
-
-
14
9
-
-
transducer 增益
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900 mhz
f
= 1.8 ghz
|
S
21e
|
2
-
-
10
4
-
-
第三 顺序 intercept 要点
I
C
= 100 毫安,
V
CE
= 8 v,
Z
S
=
Z
L
= 50
,
f
= 900 mhz
IP
3
-
38
-
dBm
1
G
毫安
= |
S
21
/
S
12
| (k-(k
2
-1)
1/2
)
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