BFG403W_集成电路资料查询网

1998 三月 11 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 17 ghz wideband 晶体管 BFG403W
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. T
s
是 这 温度 在 这 焊接 要点 的 这 发射级 管脚.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
10 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
4.5 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
1V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
3.6 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
s
≤
140
°
c; 便条 1; 看 图.2
−
16 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
150
°
C
热的 特性
标识 参数 值 单位
R
th j-s
热的 阻抗 从 接合面 至 焊接 要点 820 k/w
图.2  电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
0 40 80 120 160
MGD957
20
0
10
T
s
(
°
c)
P
tot
(mw)

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

1998 三月 11 3 飞利浦半导体产品规格 npn 17 ghz wideband 晶体管 BFG403W 限制的值在一致和这绝对最大比率系统 (iec 134). 便条 1. T s 是这温度在这焊接要点的这发射级管脚. 标识参数情况最小值最大值单位 V CBO 集电级-根基电压打开发射级 − 10 V V CEO 集电级-发射级电压打开根基 − 4.5 V V EBO 发射级-根基电压打开集电级 − 1V I C 集电级电流 (直流) − 3.6 毫安 P tot 总的电源消耗 T s ≤ 140 ° c; 便条 1; 看图.2 − 16 mW T stg 存储温度 − 65 +150 ° C T j 运行接合面温度 − 150 ° C 热的特性标识参数值单位 R th j-s 热的阻抗从接合面至焊接要点 820 k/w 图.2 电源减额曲线. handbook, halfpage 0 40 80 120 160 MGD957 20 0 10 T s ( ° c) P tot (mw)

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com